深圳大學的劉新科博士和他的團隊近期試制了GaN基肖特基勢壘二極管（SBD），并且采用的是蘇州納維科技有限公司提供的2英寸氮化鎵自支撐襯底晶片，該二極管使用互補金屬氧化物半導體（CMOS）兼容的觸頭材料，采用CMOS工藝兼容的程序模塊，比如柵極堆疊形成歐姆接觸。

納維提供的的2英寸氮化鎵自支撐襯底晶片采用氫化物氣相外延（HVPE）方法生長，位錯密度小于10⁶cm^-2。因為自支撐GaN襯底的質量較好，因此制備出的GaN基SBD實現了截止擊穿電壓V_BR1200V、通態電阻Ron7mohm.cm²、功率器件品質因V_BR²/Ron2.1×10⁸V²ohm^-1cm^-2，Ion/Ioff電流比也實現了文獻報道中的最優值~2.3× 10¹⁰。

以上數據說明，GaN襯底晶片的質量對SBD的影響很大，高質量的SBD，在額定的閉塞電壓下，可以實現高功率狀態下導通損耗最低。因為GaN基功率整流器（如肖特基二極管）在高溫高壓下表現出超低導通損耗，所以可應用在新一代電力電子電路中。并且該器件的電源電壓僅在幾百伏的范圍內，在開關電路制造方面有非常大的成本競爭力。