徐科，男，1970年3月出生，中科院上海光學精密機械研究所獲得博士，中國國籍，現任蘇州納維科技有限公司董事長。2008年入選省“高層次創新創業人才引進計劃”，2007年入選姑蘇領軍人才計劃。徐科博士自1996年以來一直從事氮化物外延用襯底材料的晶體生長，曾在非極性GaN的MOCVD生長方面做出開創工作；闡明了極性對InN生長的特殊影響，是國際上最早發現InN窄帶隙的研究者之一。2004年歸國，在蘇州工業園區創辦蘇州納維科技有限公司，研發出2inch GaN單晶襯底系列產品，GaN單晶襯底的研制成功和產業化對我國第三代半導體產業跨越發展以及國防領域的核心器件研制具有重要的戰略意義。曾主持參加國家重點研究計劃、國家自然科學基金重點項目、江蘇省科技成果重大專項項目、蘇州市姑蘇人才、蘇州工業園區領軍人才項目等20余項，在項目執行期間，入選科技部中青年領軍科技人才；關于氮化鎵單晶襯底的研究成果入選基金委信息學部十二五優秀成果匯編；入選科技部重大研發計劃戰略性新型電子材料專家組成員并任第三代半導體材料專家組副組長；入選國家重大新材料與應用工程專家組并參與編寫第三代半導體材料到2030年的發展規劃等。

1979年10月生，于2001年、2006年先后獲得武漢大學學士和博士學位（與中科院半導體所聯合培養），此后一直從事GaN單晶襯底的制備及產業化開發。王建峰博士針對GaN生長裝備，創新的引入了在位光學監控系統，實現了生長速度和應力的實時監控，極大的推進了GaN材料研發；近5年以來，深入研究了GaN的HVPE生長機理和缺陷演化機制，采用周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間層方法，獲得了無裂紋、高質量GaN材料，性能達到目前同類方法公開報道的最好值(位錯密度<10⁵cm²，室溫電子遷移率1100cm2/V·s)；利用摻雜技術，實現了2英寸非摻、N型摻雜和半絕緣補償摻雜GaN單晶襯底的研制。近3年以來，初步實現了4英寸GaN單晶襯底的制備。作為項目負責人和核心人員參加科技部863項目、國際合作項目、自然科學基金項目、中科院 STS 項目等10余項，申報相關核心專利20余項，在ICNS、APWS等重要國際會議上做特邀報告5次。項目申請人曾榮獲中國產學研促進性創新成果獎，中國科學院盧嘉錫青年人才獎，蘇州市勞動模范獎勵。